In0.53Ga0.47As/InP异质结的深能级

摘要

我们报道关于用液相外延生长的In0.53Ga0.47As/InP异质结雪崩光电二极管中的深能级。使用导纳光谱学和静态电容-电压枝术鉴别并研究了两个电子能级。发现一个能级仅位于InP层中,是激活能∈1A=0.20±0.02ev的类似受主能级,其体密度为N1A≈1015cm-3。该陷阱密度在In0.53.Ga0.47As/InP异质界面上急剧升高到该区域内的背景载流子浓度的10倍左右。由于能带之间的排斥,在低温下陷阱的填充使得在异质界面上导带不连续从△∈?=0.19ev降低到0.03ev。而第二个陷阱仅呈现In0.53Ga0.47As特性,其激活能∈tB=0.16±0.01ev,体密度在3×1013cm-3和8×1013cm-3之间。