深Zn扩散GaAs/（GaAlAs）沟道衬底激光器

摘要

本文报导了密集电流限制的深Zn扩散GaAs/（GaAl）As沟道衬底激光器。该激光器具有非常低的阈值电流（低至12mA）,较高的微分量子效率,直到10mW仍是单横模和单纵模工作。它的T0值约为200℃,在10～70℃范围內阈位电流变化速率仅为0.07mA/℃。