离子束增强反应磁控溅射AIN膜的组织结构及光学特性

摘要

对离子束增强反应磁控溅射低温沉积 AIN 膜层组织形貌、晶体结构、电子结构及其光学特性进行了研究。结果表明膜层组织均匀,晶粒细小,薄膜 AIN 是呈（002）择优取向的密排六方结构。由于Al-N 键的形成,使 Al 的2p 轨道电子结合能发生2.6eV 的化学位移。薄膜在可见光区域有很高的透射率,在紫外区域300nm 处有很强的吸收峰,在红外600—800cm-1处有个吸收带,通过计算得到了 AIN膜的折射率,禁带宽度和晶格振动力学常数。