4GHz 80K FET放大器

摘要

本文从低噪声FET放大器的实际设计出发,分析了输入匹配电路对噪声性能的影响.从放大器的实际结构讨论了影响放大器噪声性能的因素.使用南京固体器件研究所研制的WC61GaAs MESFET,在3.7～4.2GHz下,得到的结果为:两级放大器增益28dB,三级放大器增益40dB,带内噪声温度小于80K,最小噪声温度为77K.