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X波段低噪声场效应放大器

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＜正＞设计低噪声场效应放大器时,器件的“s”参数和最佳信源阻抗是极其重要的参数.根据GaAs MESFET“s”参数理论计算公式,从小信号等效电路元件值计算WC50型MESFET的“s”参数列于表1.

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来源
《固体电子学研究与进展》 |1983年第1期|85-87|共3页
作者
任国屋;
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