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刘卫兵; 明安杰; 谭秋林; 孟莹; 孙西龙; 毛海央; 王玮冰; 熊继军;
中北大学电子测试技术重点实验室;
太原030051;
中国科学院微电子研究所智能感知研发中心;
北京100029;
昆山光微电子有限公司;
江苏昆山215325;
非晶碳; 红外光源; 辐射自增强; 辐射性能; 吸收率;
机译:用于非冷却型红外辐射热计应用的光CVD掺硼氢化纳米晶碳化硅(p-nc-SiC:H)薄膜的电性能
机译:粘附性间层深度氢化非晶碳膜的自离子照射:辐射诱导的原子混合和降解薄膜性能
机译:不同射频功率对反应性射频等离子体增强化学气相沉积制备非晶硼碳薄膜合金性能的影响
机译:原位等离子体分析,通过等离子体增强化学气相沉积法沉积在Si上的氟化非晶碳和氢化非晶碳薄膜的氟掺入,热稳定性,应力和硬度比较
机译:用于增强离子注入薄膜和非晶混合氧化物薄膜晶体管性能的新型低温工艺。
机译:通过原子层沉积制备的优化非晶SnS2薄膜的光电化学性能增强
机译:射频溅射非晶硫属化物薄膜,用于表面增强红外吸收光谱
机译:磁控溅射工艺参数对非晶碳薄膜电性能的影响
机译:含氮非晶碳型薄膜,非晶碳型层合薄膜和滑动构件
机译:非晶碳薄膜及其形成方法,以及使用非晶碳薄膜的半导体器件
机译:在可改善沉积非晶碳膜的匹配性能的凸起特征上沉积高度共形的非晶碳膜的方法
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