CdS薄膜的真空热蒸发制备及在CIGS薄膜太阳电池中的应用

摘要

采用真空热蒸发（VTE）的方法制备了CdS多晶薄膜，研究了不同衬底温度对其微观结构与光电性能的影响。结果显示，不同衬底温度下制备的CdS薄膜均属于六方相多晶结构且具有（002）择优取向；随着衬底温度的升高，（002）特征衍射峰强度增加，半高宽变小，相应薄膜结晶度增大；由CdS薄膜的透射光谱可知，在5001000nm波段平均透过率均超过80％，光学带隙随着衬底温度的升高而增大（2．44～2．56eV），表明真空热蒸发方法制备的CdS薄膜可以作为CIGS薄膜太阳电池的缓冲层。将真空热蒸发法制备CdS薄膜与磁控溅射法制备CIGS薄膜太阳电池相结合，在同一真空室内得到了CIGS薄膜太阳电池器件，为CIGS薄膜太阳电池的工业化推广提供了新途径。