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常永明; 郝跃;
西安电子科技大学微电子学院;
氮化铟; 各向异性; 负微分迁移率; 耿氏二极管;
机译:结构各向异性对a平面InN中各向异性电子迁移率的影响
机译:沉积条件对各向异性Si(110)上生长的富氮InN纳米结构性能的影响
机译:六方晶结构各向异性对锌组织和二次再结晶过程中选择性晶界迁移率的影响
机译:使用射频电浆辅助化学束磊晶成长氮化铟磊晶材料于表面氮化处理矽(111)基板之研究 =Investigation of Epi-InN Materials Grown on Surface Nitride Si (111) Substrate by RF-CBE
机译:非晶玻璃基板上取向良好的InN纳米棒的生长
机译:GaAs表面结构对Co50Fe50 / n-GaAs外延结中隧穿各向异性磁阻和磁晶各向异性的影响
机译:smCo5的磁晶各向异性及其对晶场模型的解释。
机译:消除磁晶各向异性对亚铁磁性材料自旋共振影响的方法
机译:用于光电应用的晶圆键合方法(AlN,InN,GaN,AlInN,AlGaN,InGaN或AlInGaN)和(ZnS,ZnSe或ZnSSe)
机译:轴承基体的各向异性效应对支撑基体的各向异性效应没有影响,以便区分像素电极是否存在缺陷的液体晶体调节剂
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