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操神送; 杜云辰; 朱龙源; 兰添翼; 赵水平; 罗毅; 乔辉;
中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室;
上海200083;
中国科学院大学;
北京100039;
中国科学院上海技术物理研究所中国科学院红外成像材料与器件重点实验室;
ICP干法刻蚀; 碲镉汞光导材料; 刻蚀气压; 电学特性;
机译:低温退火对分子束表观生长的p型镉-汞-碲异质结构的电学性质的影响
机译:低温退火对分子辐射表观法制备的镉-碲-碲P型异质结构电学性质的影响。
机译:碲基溶液生长条件对镉-汞-碲外延层表面形态影响的研究
机译:不同方法在碲镉汞衬底上沉积ZnS薄膜的性能研究
机译:晶粒尺寸和薄膜形态对溶液沉积碲碲镉超薄膜太阳能电池性能的影响。
机译:关于用ICP-OES测定土耳其穆拉热电厂周围蘑菇样品中的汞镉铅锌硒和铁的测定的评论。 doi:10.1007 / s00128-011-0357-1
机译:碲化镉薄膜结构,光学和电学性能研究
机译:碲化镉底层对硫化镉对碲化镉反射降低性能的影响
机译:用于控制碲化镉碲化镉太阳能电池的光学性能的方法和用于制造碲化镉的碲化镉的太阳能电池和太阳能电池的制造方法
机译:生长晶体碲化镉汞的方法和通过该方法生长的晶体碲化镉汞
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