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王祖军; 刘静; 薛院院; 何宝平; 姚志斌; 盛江坤;
西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室;
西安710024;
湘潭大学材料科学与工程学院;
湖南湘潭411105;
CMOS图像传感器; 总剂量效应; 辐照损伤; 抗辐射加固技术;
机译:固定光电二极管CMOS图像传感器中的辐射效应:由于总电离剂量导致像素性能下降
机译:高总电离剂量水平下CMOS图像传感器技术的辐射硬度比较
机译:在不同剂量率和偏置条件下总电离剂量辐射引起的CMOS APS图像传感器性能下降
机译:总电离剂量辐照对CMOS技术的影响以及使用设计技术减轻总剂量效应
机译:先进CMOS技术中的总电离剂量效应。
机译:质子辐射对PPD CMOS图像传感器暗信号分布的影响:TID和DDD效应
机译:CmOs器件强化总剂量辐射效应。
机译:CCD或CMOS相机测量γ射线总辐照剂量的方法
机译:利用CCD或CMOS相机测量伽玛射线总辐照剂量的方法
机译:保护总电离剂量效应的图像传感器的制造方法
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