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林罡;
南京电子器件研究所;
固态微波器件与电路全国重点实验室;
氮化镓; SiC衬底GaN器件; 微波功率器件; 可靠性; 失效机理; 高温加速寿命试验(HTOL); 总剂量效应; 单粒子效应; 低气压放电; 宇航应用保障;
机译:高功率微波脉冲引起的GaN HEMT失效机理研究
机译:E型GaN HEMT的ESD失效:器件几何形状和电荷陷阱的作用
机译:增强型GaN功率HEMT短路工作的失效机理
机译:用于微波应用的GaN器件FET / HEMT
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:0.1μmAlGaN / GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺的改进大信号模型及其在W波段实用单片微波集成电路(MMIC)设计中的应用
机译:通过低频s参数测量和基于TCaD的物理器件仿真识别微波功率alGaN / GaN HEmT中的GaN缓冲阱
机译:用于微波应用的GaN高电子迁移率晶体管(HEmT)的monte Carlo传输研究
机译:GaN E-HEMT互连装置GaN E-HEMT装置
机译:降低AlGaN / GaN HEMT的栅极漏电流的AlGaN / GaN HEMT方法
机译:形成栅极应力的方法,制造AlGaN / GaN-HEMT的方法以及ALGaN / GaN-HEMT
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