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代鲲鹏; 张凯; 李传皓; 范道雨; 步绍姜; 吴少兵; 林罡; 陈堂胜;
南京电子器件研究所;
微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室;
GAN; 肖特基二极管; 太赫兹; 周长面积比; 指形阳极;
机译:截止频率高于1 THz的集成式硅肖特基混合二极管
机译:基于AlGaN / GaN异质结构的平衡MSM-2DEG变容二极管,截止频率为1.54 THz
机译:截止频率为902 GHz的GaN平面肖特基势垒二极管
机译:考虑自热效应的用于THz倍频设计的GaN肖特基二极管模型
机译:用于AlGaN / GaN和InAlN / GaN二极管以及在硅(111)衬底上生长的高迁移率晶体管的CMOS兼容氧化钌肖特基接触的研究。
机译:垂直GaN-on-GaN肖特基二极管作为α粒子辐射传感器
机译:GaN合并P-I-N肖特基二极管的设备设计评估
机译:THz倍频器链基于平面肖特基二极管
机译:GaN基于GaN的肖特基二极管具有双金属部分再充电电极
机译:GaN基于GaN的肖特基二极管具有部分还原的阳极
机译:GaN / GaN器件与FET /肖特基二极管集成在一起
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