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刘岳巍; 杨瑞霞;
河北工业大学电子信息工程学院;
石家庄铁道大学电气与电子工程学院;
霍尔迁移率; 在片测试; 碳化硅; 金属氧化物半导体场效应晶体管;
机译:具有大密度界面状态的MOS反转层中载波散射的建模及4H-SIC MOSFET中的电子霍尔迁移率模拟
机译:具有热生长栅极氧化物的4H-SiC MOSFET反转层中的霍尔效应迁移率
机译:SiC MOSFET的霍尔效应迁移率随向沟道区注入氮的剂量增加而增加
机译:通过N〜+注入对SiO_2 / SiC界面进行氮化:n沟道平面4H-SiC MOSFET中的霍尔效应与场效应迁移率
机译:4H-SIC沟槽MOSFET:实用的表面沟道迁移率提取
机译:4H-SIC双沟MOSFET采用分流异质结闸用于改善开关特性
机译:具有邻近(1°)偏角的C(000-1)外延衬底上制作的4H-siC mOsFET的高反型沟道迁移率
机译:具有高迁移率的常闭4H-siC沟槽栅极mOsFET(预印刷)
机译:基于sic的di-MOSFET的制备方法和基于sic的di-MOSFET
机译:具有氧化硅层的碳化硅(SiC)MOSFET,能够抑制载流子迁移率的下降和阈值电压的变化
机译:通过用铯离子处理氧化物界面形成具有高通道迁移率的SIC MOSFET
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