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李忠辉; 李传皓; 彭大青; 张东国; 罗伟科; 李亮; 潘磊; 杨乾坤; 董逊;
南京电子器件研究所;
金属有机物化学气相沉积; InAlGaN; 异质结; 迁移率;
机译:使用GaN / AlN超晶格作为MOCVD生长的阻挡层的AlGaN / GaN异质结构中2DEG特性的研究
机译:通过两阶段生长工艺在r蓝宝石上制备a-GaN膜和a-AIGaN / GaN异质结的特性
机译:在n -Si衬底(GaN:Mn NW / n -Si)上异质结掺杂Mn的GaN纳米线二极管的制备和电特性
机译:ZnO纳米线/ p-GaN纳米异质结阵列的制备及其在紫外线和太阳光下的光电特性
机译:GaN基异质结场效应晶体管的直流,微波和噪声特性及其可靠性问题。
机译:以AlN / GaN超晶格为阻挡层的MOCVD法生长GaN HEMT中的2-DEG特性
机译:脉冲激光沉积法在不同衬底上制备GaN厚膜的光电特性和结构表征
机译:GaN基异质结双极晶体管的生长与制备
机译:GaN垂直通道结场 - 效应晶体管,通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)重生P-GaN
机译:GaN基异质结场效应晶体管及其特性控制方法
机译:GaN系统异质结场效应晶体管及其特性控制方法
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