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王伟; 高汉超; 于海龙; 马奔; 尹志军; 李忠辉;
南京电子器件研究所;
分子束外延; 双异质结双极型晶体管; INGAAS/INP; 界面;
机译:InGaAs / InP和InGaAs / AlAs / InP MBE生长异质结构的二次离子质谱深度分布中的离子刻蚀效应
机译:掺杂和MOCVD条件对锌和碳掺杂InGaAs少数载流子寿命的影响及其在锌和碳掺杂InP / InGaAs异质结构双极晶体管中的应用
机译:分子束外延生长具有InP和InAlP缓冲层的变质InP / InGaAs双异质结双极晶体管的比较研究
机译:CBE生长期间气体切换对InP / InGaAs界面的影响
机译:气源分子束外延生长的InP / InGaAs异质结双极晶体管和场效应晶体管。
机译:深能级陷阱及其对InP / InGaAs异质结构电流特性影响的研究
机译:InGaAs/InP异质结界面层的应变研究
机译:用于InGaas热光电器件中埋入式反射器/互连应用的InGaas / Feal / Inalas / Inp异质结构的生长和性质
机译:基于INGAAS / ALINAS / INP异质表皮结构的金属结构光电二极管
机译:基于异质外延结构InGaAs / InP的平面pin光电二极管
机译:在InP / InGaAs单片集成解复用器中,PI异质结双极晶体管
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