光子晶体膜制备工艺对其性能的影响

摘要

针对电磁兼容材料高屏效和高透光相互制约的技术难题,本文设计了以ITO/Ag为周期的光子晶体膜。本文着重分析了制备工艺对其屏蔽效能、透光率和导电性能的影响。研究结果表明,随着氧氩比的增加,透光率和导电性提高,屏蔽效能相应降低。而在无氧的条件下沉积Ag膜,可避免在高频下屏蔽效能的降低。随着沉积温度的提高,金属Ag膜变粗糙,屏蔽效能和透光率明显降低。通过对室温沉积光子晶体膜进行高温退火,光子晶体膜的结晶度、透光率和屏蔽效能都相应提高。这种光子晶体具有高屏效和高透光的双重性能,在电磁屏蔽可视领域具有较好的应用前景。