两级递阶遗传算法优化稀布直线阵列

摘要

非均匀稀布直线阵列通常具有较高的旁瓣,为了降低旁瓣,对传统遗传算法进行改进用于阵列优化.为了更好的解决早熟收敛问题,利用两级递阶遗传算法THGA(Two-level Hierarchic Genetic Algorithm)在各阵列电流激励幅度相同的情况下对阵元位置进行了优化,最大旁瓣降低至-15.2498dB.在各阵列电流激励幅度不同的情况下,提出了"微调""粗调"的思想对激励和阵元位置同时进行优化.仿真结果表明,对于一个孔径为50λ的25个阵元组成的稀布直线阵列,可获得了更低的旁瓣,最大旁瓣可降至-22.5955dB.