NAND FLASH编程实现研究分析

陆林燕; 王鲁静; 郑正奇

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以阐明编程支持NAND FLASH的方法为目的.总览了NAND FLASH层次结构;讨论了NAND FLASH的写操作过程,这种写操作的特点也是FLASH有别于其它存储介质的地方,同时也对NAND FLASH的擦除操作做了介绍;在对整体的框架和特点有了了解之后,进一步对编程支持NAND FLASH的过程中会遇到的一些概念和细节给出了具体的说明.对NAND FLASH的编程支持有一定的复杂性,但只要了解了它的工作方式,也并非难事.

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来源
《计算机技术与发展》 |2008年第3期|118-120124|共4页
作者
陆林燕; 王鲁静; 郑正奇;
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作者单位

华东师范大学;

电子系;

上海;

200062;

华东师范大学;

电子系;

上海;

200062;

华东师范大学;

电子系;

上海;

200062;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类程序设计、软件工程;
关键词
NAND FLASH; 写操作; 地址转换; ECC校验;

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