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一种用于ADC模拟集成电路设计和分析的MOS晶体管模型

         

摘要

本文提出了一个适合模拟集成电路设计和分析的金属氧化物场效应晶体管模型.它以晶体管反型系数if为基础,表达式具有简洁的形式和良好的精度,并通过一个ADC电路中经常出现的简单共源极放大器的设计过程和仿真结果的对比分析,解释说明这个模型的具体应用.

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