C_3N_4纳米棒的制备及光学性能

摘要

采用机械球磨法,以石墨为反应前驱物,在充有300kPa压力的氨气气氛下连续球磨200h,然后在氨气气氛、700℃以上的温度条件下热处理5h,制备出C3N4纳米棒。利用X射线粉末衍射(XRD)、透射电镜(TEM)、电子衍射、能量损失谱(EELS)以及红外光谱(FTIR)等手段进行了表征。纳米棒的长度在1～2μm,直径为80～150nm。分析结果表明合成的产物以β-C3N4单晶为主。对合成的β-C3N4产物进行光致发光(PL)性能测试和计算,得出其发射蜂在3.5～4.4eV之间,属于宽带隙的半导体材料。并对纳米棒的形成机理进行了初步探讨。