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胡明; 张伟; 张绪瑞; 杨海波;
天津大学电子信息工程学院,天津300072;
多孔硅; 厚度; 孔隙率; 微晶粒尺寸; 电化学腐蚀; 显微拉曼光谱; 热导率; 绝热性;
机译:实验参数对多孔硅层和氧化多孔硅层物理性能的影响
机译:双层“多孔硅 - 绝缘体”结构中埋地隔离硅二氧化层的形成与性能
机译:在p〜+多孔硅上制造的多孔硅和外延硅层的微结构和结晶度
机译:厚氧化多孔硅层作为热绝缘材料,用于高温操作薄厚薄膜气体传感器
机译:制造参数对多孔硅结构的影响及其潜在应用。
机译:利用多孔硅热绝缘的热电发电机
机译:多孔硅脉冲阳极形成参数对荧光,顺磁和电气传输性能的影响
机译:使用多孔硅的绝缘体上硅器件的高电压考虑因素。
机译:多晶硅:硅CMP处理高密度DRAM存储器单元结构-包括沉积第一和第二绝缘层,第一和第二多晶硅:第三绝缘层,去除多余的第二多晶硅:和第三绝缘层,形成电介质并沉积第三多晶硅:硅
机译:用于将硅层转移到衬底支撑件上以在背面照明图像形成装置的绝缘体晶片上形成硅的方法,包括使掺杂层和p型硅衬底层多孔化
机译:通过掩埋多孔硅层的氧化形成绝缘体上硅锗结构
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