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MgB2薄膜磁通钉扎的各向异性

         

摘要

测量了不同温度下,外场分别平行于样品ab面和平行于c轴两种情况下的M-H磁滞回线和I-V特性曲线,从磁测量和传输测量计算出临界电流密度和钉扎力密度.同时测量了两个方向上的磁弛豫,并由此估算了它的有效钉扎势.通过比较这两个方向上的静态和动态特性,我们发现在高度c-轴取向MgB2薄膜中,钉扎力的各向异性主要来自于超导体固有的各向异性,其主要的钉扎中心是各向同性的正常态点缺陷.

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