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孙风云; 胡明; 孙鹏; 陈鹏; 刘博;
天津大学电子信息工程学院,天津,300072;
多孔硅; 孔隙率; I-V特性; NO2气敏特性;
机译:WO3纳米线/多孔硅杂化结构的合成及室温NO2气敏特性
机译:形态可控的具有均匀表面异质结构的多孔α-Fe2O3/ SnO2纳米棒及其增强的丙酮气敏特性
机译:通过选择性浸出和增强的气敏特性合成多孔SnO2纳米立方体
机译:金和镍共助剂对SnO2薄膜气敏特性对氢气和二氧化氮的气敏特性的影响
机译:使用渐近方法,利用靠近硅/二氧化硅界面的薄氧化物,利用量子力学效应对MOSFET器件的电流-电压(I-V)特性进行建模。
机译:单个SnO2纳米线和SnO2溶胶-凝胶纳米复合材料的气敏特性
机译:使用pmma微球利用超声波喷雾热解制备的多孔In2O3基粉末的NO2传感特性:pmma微球尺寸对其气敏特性的影响
机译:扫描瞬态电流研究快速中子辐照的硅探测器中的I-V稳定现象
机译:I-V特性测量装置,I-V特性测量方法和用于I-V特性测量装置的程序
机译:太阳能电池的I-V特性测量设备和I-V特性测量方法,以及录制有I-V特性测量设备的程序的记录介质
机译:用于太阳能电池的I-V特性测量设备和I-V特性测量方法,以及记录有用于I-V特性测量设备的程序的记录介质
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