功率MOSFET寄生电容劣化对开关瞬态响应的影响

摘要

为解决功率MOSFET寄生电容劣化影响寿命的问题,在MOSFET非线性模型基础上,深入分析MOSFET寄生电容参数和开关管瞬态响应信号之间的关系,推导了各参数和瞬态响应之间的关系表达式,并用Saber仿真实验进行验证.由于栅极对MOSFET的性能影响至关重要,所以此次实验分析了和栅极相关的栅源电容Cgs和栅漏电容Cgd.结果表明,在寄生参数相同劣化程度时,栅源电容对瞬态响应的影响达到7.08％,而栅漏电容近似只有1.6％.栅源电容的劣化更大程度上影响瞬态响应,为MOSFET劣化提供了新的研究思路.