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刘卫民;
应变层 ZnSe-ZnTe 超晶格结构 电子浓度 调制掺杂 Ⅱ-Ⅵ族半导体 光致发光 光学特性 量子化 发光颜色;
机译:用于光学器件的交错式InGaAs / GaAsP应变层超晶格
机译:用于超弯曲和透明高性能光电器件的多功能解决方案 - 加工有机 - 无机混合动力超晶格
机译:II型应变层超晶格器件的化学和物理钝化,通过硫醇化的自组装单层膜和聚合物包封物实现
机译:大气压MOCVD在透明衬底CaF2上生长ZnSe-ZnTe应变层超晶格(111)
机译:单极势垒应变层超晶格红外光电二极管:物理和势垒工程
机译:用于高温操作的InAs / InAsSb应变层超晶格中波红外探测器
机译:使用基于SB的应变层超晶格的低噪声短波长红外雪崩光电探测器
机译:应变层 - 超晶格光电器件
机译:技术领域[0001]本发明涉及一种用于制造层状超晶格材料的方法和包括该层状超晶格材料的电子器件的制造方法(制造层状超晶格材料和制造包括相同层的电子器件的方法)
机译:II-VI族超薄半导体层,II-VI族半导体超晶格结构,包含该超晶格结构的光电器件及相关方法
机译:用于辐射产生或辐射检测的光电子半导体芯片具有超晶格,该超晶格是由在有源层或边界层中形成的混合晶体成分的薄层的周期性序列制成的
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