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袁景; 黄金彪;
不详;
HEMT; 集成电路; 光化学; 干法腐蚀; 磷化铟;
机译:使用光化学选择性干式凹槽蚀刻在3英寸InP衬底上高度均匀的N-InAlAs / InGaAs HEMT
机译:用于InP HEMT的新型高均匀性,高可再现性,非选择性湿法数字栅极凹槽蚀刻工艺
机译:B. Galieva,A. Ji的修正案。 Vasilyeva,R.M.Maumova,E. A.Klimova,P.P.P.Maltseva,S.S.Pushkareva,M. Yu。Presnyakova,I. N.Trunkin“Inalas / Ingaas / Inalas Hemg的结构和电神科性质,在量子坑中的INP基材上的InP衬底上的InP衬底的结构和电神经性质。” 2014. T. 59.第6号。第6. P. 990-998
机译:使用湿和干法蚀刻MESA隔离的INP衬底上的ALSB / INAS HEMTS
机译:Si衬底取向对通过闭空间升华(CSS)在不使用掩模的情况下对Si(111)和Si(211)衬底上CdTe选择性生长的质量的影响
机译:InP衬底上InAs纳米线的自催化生长
机译:使用简单的基底倾斜法对INP(111)B衬底上的自催化INP / INAS / INP一维纳米结构的拉曼光谱特征
机译:mWIR激光器在Inp衬底上使用II型量子阱有源区。
机译:InP衬底上的AlPSb / InP单异质结双极晶体管,用于高速,高功率应用
机译:在InP衬底上制造用于高速,高功率应用的AlPSb / InP单异质结双极晶体管的方法
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