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禹玥昀; 唐逸; 万星拱; 任铮; 胡少坚; 周伟; 李曦; 石艳玲;
上海集成电路研发中心,上海,200000;
华东师范大学,上海200062;
电荷泵; 界面缺陷密度; 高压MOS; 热载流子注入;
机译:用电荷泵技术在带有HfO_2 /金属栅叠层的p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的高压区中测量的额外陷阱的研究
机译:HfO 2 inf> /金属栅叠层的p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管中高压区的电荷泵技术测量的额外陷阱的研究
机译:漂移区中不同掺杂浓度的高压MOS晶体管的特性和热载流子可靠性研究
机译:短沟道MOS晶体管中的“漏极电荷泵浦技术”适应“漏极电荷泵浦技术”
机译:4-氢碳化硅中的高压注入-发射极双极结型晶体管和Darlington晶体管。
机译:用于微机械陀螺仪的标准CMOS工艺中的调节温度不敏感高压电荷泵
机译:通过原子力显微镜对超薄介电层进行电测量的可靠性研究:空间分辨电荷泵技术的发展,用于表征界面故障
机译:高压测试和测量技术现场包括Condition211监测和诊断。数字技术在高压211测试中的应用。高压工程研究生研讨会s-18.148。在Finl的211 sjoekulla举行
机译:用于电荷泵升压电压应用的多级调节器,不需要集成专用高压高侧晶体管
机译:高压晶体管集成到CMOS逻辑结构中,例如智能电源技术,结合了结型和互补型金属氧化物晶体管结构
机译:用于高压应用中的P型金属氧化物半导体的高压驱动器,具有带电平转换器和控制输出级晶体管栅极的预驱动器,以及连接到预驱动器的参考电压发生器
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