一种MEMS体声波硅谐振器的设计

摘要

设计了一种基于SOI衬底工艺的MEMS体声波硅谐振器及其制造方法.利用有限元分析软件对该谐振器进行了模态分析,并针对提高品质因数Q,研究了其损耗机制.结果表明:谐振频率可达108 MHz,且取决于硅材料特性和器件尺寸,而品质因数则决定于支撑损耗.最后,从振动模态和传输线模型角度出发,提出了减少支撑损耗提高Q值的可行性方法,包括将支撑梁放置在振动节点处、梁长度设置为弹性波长的1/4及在衬底端设置声波反射器.