平面汞膜电极二阶倒导数电位溶出分析法研究

摘要

对电位溶出的Ｅ－ｔ曲线进行二阶倒导数处理，提高了二阶倒导数电位溶出分析法理论，其信号较一阶倒导数法增强约４３．１ｎ倍，分辨率由原来的６５．５ｍＶ／ｎ改善到４８．２ｍＶ／ｎ。用根据二阶倒导数法原理自行设计研制的多阶倒导数电位出仪验证了本文提出了的理论，富集１２０ｓ，Ｃｄ＾２＋的检测限可达１．０×１０＾－１０ｍｏｌ／Ｌ。