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Si基Si1-x-yGexC y合金生长中C的影响

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摘要

报道了Si基Si1-x-yGexCy合金生长中C对Ge组分和生长速率的抑制作用,提出一个Si、Ge、C原子的排列构型,从理论上给出了 C对Ge 组分的抑制度和Ge/C原子比的关系,并指出在富Ge情况下C对Ge的抑制作用会趋向于饱和.

著录项

来源
《高技术通讯》 |2001年第12期|84-86|共3页
作者
刘夏冰; 臧岚; 朱顺明; 程雪梅; 韩平; 罗志云; 郑有炓;
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作者单位

南京大学物理系,;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体技术;
关键词
Si1-x-yGexCy合金,抑制作用,原子排列;

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