LaSrGaO4：Cu2＋晶体电子顺磁共振参量和缺陷结构的研究

冯文林; 刘虹刚; 方旺

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采用3d9离子在四角对称中的高阶微扰公式，计算了LaSrGaO4：Cu2＋晶体的电子顺磁共振（EPR）参量g因子g∥，g⊥和超精细结构常数A∥，A⊥．计算结果与实验值较好符合．由于晶体中顺磁杂质中心的EPR参量与其缺陷结构密切相关，该计算还获得了Cu2＋杂质中心缺陷结构的信息．对上述结果进行了讨论．参17

著录项

来源
《中国学术期刊文摘》 |2007年第21期|52|共1页
作者
冯文林; 刘虹刚; 方旺;
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作者单位

重庆工学院数理学院应用物理系,杨家坪400050;

不祥;

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原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类晶体的磁学性质;
关键词
电子顺磁共振参量; 缺陷结构; LaSrGaO4：Cu2＋晶体;

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