一种适用于改进P/E循环性能NAND闪存设计方法

摘要

随着NAND闪存工艺尺寸的缩小,为了确保闪存阈值电压分布在相对狭窄的区间,通常使用ISPP/ISPE(步进式编写操作/步进式擦除操作)对闪存操作.但是随着P/E循环的增加,相应的操作时间也随之改变,会极大的影响闪存的性能.因此本设计对传统ISPP/ISPE进行改良,通过使用额外的寄存器,针对P/E循环次数的不同阶段,调整ISPP/ISPE操作参数,使系统在不同的P/E循环次数下,仍能维持稳定的擦写性能.