STM热化学烧孔方式的信息存储——写入脉冲幅值和脉宽对信息点尺寸的影响

摘要

@@ 以扫描探针显微技术(SPM)为基础的超高密度信息存储是近年的研究热点. 前文［1］利用STM针尖在TEA(TCNQ)2单晶上施加电压脉冲，得到了超高密度信息孔点阵，提出了热化学烧孔方式的STM信息存储技术, 在STM扫描成像的过程中，隧道电流会流经样品，产生焦尔热. 但通常扫描成像过程中的隧穿电流较小，焦耳热也较小. 如能找到一种二元复合材料，一组分沸点较低，且与另一组分的结合能较弱，当足够大的电流流经时，所产生的焦耳热可能使低沸点的组分气化逸出，在样品表面形成纳米尺度的信息点. 我们称这种存储模式为热化学烧孔方式的STM存储. 基于这一思想，我们选择电荷转移复合物TEA(TCNQ)2作为存储材料，用STM写下了纳米级的信息孔. 本文通过改变写入电压脉冲的脉幅和脉宽，控制孔的大小，并对孔大小与脉冲电压的关系进行了理论推导和分析.