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C77Si电子结构和光谱的量子化学研究

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用INDO系列方法对C77Si的21种可能异构体进行了理论研究, 表明最稳定异构体是由C78(C2ν)椭球长轴所穿过的六元环上原子C35被Si取代所形成的, 椭球短轴附近的原子不宜被取代; C77Si光谱吸收峰与C78相比发生红移, 讨论了吸收峰红移的原因.

著录项

来源
《高等学校化学学报》 |2004年第12期|2345-2348|共4页
作者
滕启文; 吴师;
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作者单位

浙江大学化学系,杭州,310027;

浙江大学化学系,杭州,310027;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类结构化学;
关键词
C77Si; 电子光谱; INDO;

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