改写型双层光盘用快速相变材料

摘要

开发了GeSnSbTe膜.它是在传统的相变材料GeSbTe中添加Sn的新型相变材料,具有优良的快速晶化特性.该薄膜厚度即使减薄到5 μ m,仍可在50 ns内的激光照射时间之内晶化.GeSnSbTe膜(6nm)宜用于第一记录层;GeSbTe(12nm)宜用于第二记录层.采用青紫色激光(λ=405nm,NA=0.65),按照容量27GB、数据记录速度33Mbps的标准,试制了双层相变光盘.每个存储层都能得到50dB以上的C/N和好于30dB以上的抹除率.此时,第一和第二记录层的记录功率分别为6mw和11mw.