低电容TVS重掺硼衬底上N型高阻外延生长

摘要

低电容TVS广泛用于高频电路的电压瞬变和浪涌防护，它由低击穿电压的雪崩二极管与低电容的导引二极管组合而成，其中的低电容导引二极管需要在重掺杂的P型衬底上生长近似本征的超高电阻率的N型外延层，抑制重掺P型衬底的自掺杂效应是高阻N型外延生长的重要挑战。本文采用高温烘烤、低温周期性变速H2赶气等技术使得重掺B衬底的自掺杂效应得到抑制，并在外延工艺时采用N 型外延覆盖层，最终实现了在重掺硼衬底上生长电阻率大于150Ωcm的N型高阻外延层，使得TVS产品8寸工厂量产。