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利用高分辨X射线衍射仪表征GaN薄膜的结构特性

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使用高分辨X射线衍射法(HRXRD)对金属有机物化学气相沉积(MOCVD)外延生长GaN薄膜进行微结构表征.首先采用绝对测量法精确测试了GaN薄膜的晶格常数,由此获得该GaN薄膜的应变与弛豫的信息.采用面内掠入射(IP-GID)法测定了GaN薄膜的位错密度以及位错扭转角.

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来源
《分析测试技术与仪器》 |2009年第1期|21-25|共5页
作者
陈勇; 邓宏; 姬洪;
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作者单位

电子科技大学,电子薄膜与集成器件重点实验室,四川,成都,610054;

电子科技大学,电子薄膜与集成器件重点实验室,四川,成都,610054;

电子科技大学,电子薄膜与集成器件重点实验室,四川,成都,610054;

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正文语种 chi
中图分类色谱分析;
关键词
高分辨X射线衍射; GaN; 晶格常数; 位错密度; 位错扭转角;

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