CdS/SiO2纳米棒核/壳结构的制备和发光性能

匡汉茂; 邓兆祥; 李春辉; 孙晓明; 庄京; 李亚栋

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CdS/SiO2纳米棒核/壳结构的制备和发光性能

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cqvip:利用在醇介质中氨水催化水解硅酸乙酯(TEOS)制备SiO2来包覆半导体CdS纳米棒而形成CdS/SiO2核/壳结构.通过X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)证实SiO2包覆壳层为非晶,且壳层厚度随TEOS浓度的增大而增加,在10～30nm之间.并研究了其紫外-可见吸收光谱(UV-Vis)和荧光发射光谱(PL)的性质.

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来源
《物理化学学报》 |2002年第5期|477-480|共4页
作者
匡汉茂; 邓兆祥; 李春辉; 孙晓明; 庄京; 李亚栋;
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作者单位

清华大学化学系北京 100084;

江西井岗山师范学院化学系吉安 343009;

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正文语种 chi
中图分类半导体物理化学、化学物理;
关键词
核壳结构; CdS纳米棒; 半导体; 复合结构; 发光光谱;

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