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潘凤春; 林雪玲; 王旭明;
宁夏大学物理与电子电气工程学院;
GaSb; 应变; 磁学性质; 光学性质; 第一性原理;
机译:TDHF-SOS处理III-V型半导体簇(Ga3As3,Ga3Sb3,In3P3,In3As3,In3Sb3)的线性和非线性光学性质
机译:带分散和光学增益计算的交错型GaAs_(0.4)Sb_(0.6)/ In_(0.7)Ga_(0.3)AS / GaAs_(0.4)Sb_(0.6)纳米异质结构在电场下和[100]应变
机译:势垒层中的应变对高应变In_(0.77)Ga_(0.23)As / InGaAs多量子阱的结构和光学性质的影响
机译:应变和非分解性对中红外线中的光学增益和阈值电流的影响(1-x)AS_YSB_(1-Y)/ AL_(0.35)GA_(0.03)SB_(0.03)SB_(0.97)量子阱激光器
机译:用于太阳能电池的(铟,镓)砷化物量子点材料:应变降低和应变补偿势垒对量子点结构和光学性质的影响
机译:MoS2的结构和电子性质的色散校正密度泛函理论研究:单轴应变的影响
机译:内应变和外压对自组装In x Ga 1-xas / Gaas量子点电子结构和光学跃迁的影响:实验和理论研究
机译:压电效应对GaN / al(x)Ga(1-x)N多量子阱的光学性质的影响2。应用物理快报
机译:基于Ga-Sb-Te系统的相变记录介质,用于超高密度光学记录
机译:具有可变光学性质的构造元件,影响这些光学性质的方法及其用途
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