二次单畴化制备GdBCO超导块材的方法及其性能

摘要

高质量单畴REBa2Cu3O7–d (REBCO)超导块材具有广泛的应用前景, 但制备过程中极易产生大量多畴样品, 致使成功率明显下降、成本显著提高, 并制约其进一步批量化和实用化的进程. 受顶部籽晶熔渗生长(TSIG)方法的启发, 本文提出了一种对生长失败的GdBCO超导块材重新单畴化织构生长的新方法, 即将生长失败的样品进行预处理后作为固相源坯块, 然后采用改进后的TSIG法进行二次单畴化织构生长, 并成功地制备出了一系列二次单畴化的GdBCO超导样品, 同时, 对样品的超导性能及微观结构进行了研究. 结果表明, 所制备的二次单畴化GdBCO超导样品的磁悬浮力均大于30 N, 样品的捕获磁通密度均在0.3 T以上,捕获磁通效率高达60％以上, 该结果为进一步发展低成本、高效率制备REBCO超导体的新方法提供了科学依据和新思路.