Ge50Te50/Zn15Sb85纳米复合多层薄膜在高热稳定性和低功耗相变存储器中的应用

摘要

采用磁控溅射方法制备了Ge50Te50/Zn15Sb85纳米复合多层薄膜.研究了薄膜的电阻随温度的变化以及薄膜的晶化激活能.通过透射电子显微镜比较了晶化前后Ge50Te50/Zn15Sb85纳米复合多层薄膜的截面多层结构.制备了基于[GT(7nm)/ZS(3nm)]5多层复合薄膜的相变存储器件,并测试了其电性能.研究表明,Ge50Te50/Zn15Sb85纳米复合多层薄膜具有较好的非晶态热稳定性和数据保持力,其器件具有较快的转变速度、较低的操作功耗和较好的循环性能.Ge50Te50/Zn15Sb85纳米复合多层薄膜是一种潜在的高热稳定性和低功耗的相变存储材料.