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吴雪; 陆妩; 王信; 席善斌; 郭旗; 李豫东;
新疆理化技术研究所 乌鲁木齐830011;
0; 18μm; 窄沟NMOS晶体管; 60Coγ辐照; 辐射感生窄沟道效应;
机译:不同布局的SOI NMOS晶体管中总剂量引起的边缘效应
机译:栅极优先HKMG nMOS晶体管窄宽度效应的分析和建模
机译:总剂量辐照对nMOS和pMOS晶体管噪声的栅极电压依赖性的影响
机译:使用浅沟槽隔离的NMOS和PMOS表面通道晶体管的异常窄宽度效应
机译:NMOS和CMOS薄膜晶体管的设计及其在电子纺织品中的应用。
机译:Si上In0.18Al0.82N / AlN / GaN MIS-HEMT(金属绝缘体半导体高电子迁移率晶体管)的陡峭开关
机译:使用NPS Linac对硬化的SOI双极晶体管的总剂量辐射效应
机译:sOI N沟道场效应晶体管,CHT-NmOs80,适用于极端温度
机译:NMOS场效应晶体管和形成NMOS场效应晶体管的方法
机译:NMOS NMOS NMOS晶体管的方法和形成NMOS晶体管的半导体工艺工具及其计算机可读介质
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