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不同硅晶面指数上的类倒金字塔结构研究与分析

         

摘要

晶体硅作为一种重要的半导体材料,在集成电路、太阳能电池等方面具有广泛的应用.基于各向异性的刻蚀方法,不同晶面指数的硅都可以在表面形成由{111}晶面族组成的正/倒金字塔.本文基于{111}晶面族与(abc)晶面相交构成类倒金字塔结构的特性,建立了硅的晶面指数(abc)与所形成的类倒金字塔结构的数学模型.将硅的晶面指数(abc)分成0≤a≤b

著录项

  • 来源
    《物理学报》 |2018年第22期|316-325|共10页
  • 作者单位

    中国科学院物理研究所;

    北京凝聚态物理国家研究中心;

    北京 100190;

    中国科学院大学物理科学学院;

    北京 100049;

    中国科学院物理研究所;

    北京凝聚态物理国家研究中心;

    北京 100190;

    中国科学院物理研究所;

    北京凝聚态物理国家研究中心;

    北京 100190;

    中国科学院大学物理科学学院;

    北京 100049;

    中国科学院物理研究所;

    北京凝聚态物理国家研究中心;

    北京 100190;

    中国科学院大学物理科学学院;

    北京 100049;

    中国科学院物理研究所;

    北京凝聚态物理国家研究中心;

    北京 100190;

    中国科学院大学物理科学学院;

    北京 100049;

    中国科学院物理研究所;

    北京凝聚态物理国家研究中心;

    北京 100190;

    中国科学院大学物理科学学院;

    北京 100049;

    中国科学院物理研究所;

    北京凝聚态物理国家研究中心;

    北京 100190;

    中国科学院大学物理科学学院;

    北京 100049;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类
  • 关键词

    硅的晶面检测; 硅的晶面指数; 类倒金字塔;

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