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张道元; 王根苗; 王玉霞; 王征; 张裕恒;
无;
机译:锶离子掺杂对镧系锰共掺杂体系结构,热学,形貌和电学性质的影响
机译:喷雾体积对Cu2Fesns4薄膜物理性质的影响及有效的P型Cu2Fesns4 / n型F掺杂SnO2异质结
机译:Sn-SnSb合金纳米颗粒和N掺杂的还原氧化石墨烯片的三明治体系结构作为锂离子电池的高倍率能力阳极
机译:掺杂剂浓度对溶胶 - 凝胶浸渍法沉积的Sn掺杂ZnO薄膜电和光学性质的影响
机译:高掺杂对氧化钨电学和光学性质的影响
机译:通过机械合金化和火花等离子体烧结制备的热电SnS和SnS-SnSe固溶体:各向异性热电性质
机译:Sn掺杂比对激光诱导等离子体制备的CDO膜结构和光学性质的影响
机译:在Laa10(sub 3)和sOs substrates上使用共掺杂YBCO标准金属层的高T(sub c)sNs弱链路
机译:用于保护微电子系统免受过压影响的导体组件-包括双向晶闸管二极管,该二极管具有高掺杂的表面区域和与相反掺杂的基极区域相距预定距离的自由电荷载流子的高梯度
机译:高掺杂IV-Sn族半导体材料的选择性生长方法
机译:高掺杂IV-Sn半导体材料的选择性生长方法。
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