GaAs分子束外延生长的Monte Carlo模拟

摘要

用Ｍｏｎｔｅ Ｃａｒｌｏ方法模拟了ＧａＡｓ（００１）面的邻晶面上的分子束外延的生长过程，模拟的基本模型是常用的ＳＯＳ模型，结果显示在Ａ类邻晶面上二维成核模式起主要作用，但在Ｂ类邻晶面下是二民核模式起主要作用，但在高温下台阶成核模式成了主要的成核模式。另外在高温和低温下都存在成核原子数的饱和现象。