镶嵌在SiO2薄膜中纳米GaAs颗粒的Raman散射研究

摘要

纳米ＧａＡｓ颗粒通过频磁控共溅法成功地被镶嵌在ＳｉＯ２薄膜中。通过不同基片温度下沉积的薄膜的Ｒａｍａｎ光谱观察到了明显的声子限域效应。其结果表明：当沉积时基片温度低于２００℃时，Ｘ射线衍射和Ｒａｍａｎ散射均表现出非晶结构特征；当基片温度升高到３００℃时，薄膜内的ＧａＡｓ具有闪锌矿结构，同时其结构振动纵光学声子模对应的Ｒａｍａｎ散射峰将从非晶散射峰中分离出来，但同大块材料相比，该峰表现出明显的宽化和