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分子束外延生长ZnSe自组织量子点光、电行为研究

         
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摘要

分别应用光致发光、电容-电压和深能级瞬态傅里叶谱技术详细研究ZnSe自组织量子点样品的光学和电学行为.光致发光温度关系表明ZnSe量子点的光致发光热猝火过程机理.两步猝火过程的理论较好模拟和解释了相关的实验数据.电容-电压测量表明样品表观载流子积累峰出现的深度(样品表面下约100nm处)大约是ZnSe量子点层的位置.深能级瞬态傅里叶谱获得的ZnSe量子点电子基态能级位置为ZnSe导带下的0.11eV,这与ZnSe量子点光致发光热猝火模型得到的结果一致.

著录项

  • 来源
    《物理学报》 |2002年第2期|310-314|共5页
  • 作者

  • 作者单位

    中国科学院半导体研究所半导体材料科学开放实验室,北京,100083;

    中国科学院半导体研究所半导体材料科学开放实验室,北京,100083;

    香港科技大学物理系;

    香港九龙清水湾;

    香港科技大学物理系;

    香港九龙清水湾;

    香港科技大学物理系;

    香港九龙清水湾;

    香港科技大学物理系;

    香港九龙清水湾;

    香港科技大学物理系;

    香港九龙清水湾;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 物理学;
  • 关键词

    Ⅱ-Ⅵ半导体,自组织量子点,光、电特性;

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