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贺朝会; 耿斌; 杨海亮; 陈晓华; 王燕萍; 李国政;
西北核技术研究所,西安69信箱13分箱,710024;
FLASH ROM,EEPROM,60Coγ源,单粒子效应,总剂量效应;
机译:浮栅只读存储器和静态随机存取存储器中辐射效应的实验研究
机译:平面平面浮栅NAND闪存器件的理论分析和浮栅/电荷陷阱(CT)融合器件的实验研究,以全面了解电荷存储和工作原理
机译:浮栅半导体存储器件的耐久性表征和改进
机译:由柔性塑料上的ZnO薄膜晶体管组成的纳米浮栅存储器件
机译:基于浮栅电压轨迹的2D存储器件设计材料和器件结构设计
机译:一种估算辐射环境中浮栅提示电荷损失概率的方法。
机译:集成电路装置电可擦可编程ROM具有在浮栅绝缘层上形成的浮栅导电层,该浮栅绝缘层包括靠近沟槽中的填充区域的变薄部分
机译:能够在编程期间减少浮栅到浮栅耦合效应的非易失性存储器件
机译:用于对非易失性存储器件进行编程以减小浮栅到浮栅耦合效应的方法
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