MWECR CVD等离子体系统梯度磁场对沉积a-Si:H薄膜特性研究

胡跃辉; 阴生毅; 陈光华; 吴越颖; 周小明; 周健儿; 王青; 张文理

首页> 中文期刊> 《物理学报》 >MWECR CVD等离子体系统梯度磁场对沉积a-Si:H薄膜特性研究

MWECR CVD等离子体系统梯度磁场对沉积a-Si:H薄膜特性研究

开具论文收录证明 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

分别研究了磁场线圈电流为115.2和137.7A以及137.7A并在加热台下加放SmCo永磁体的方法,来改变单磁场线圈分散场MWECR CVD系统等离子体室及沉积室磁场形貌.用洛伦兹拟合定量地得到了三种磁场形貌的磁场梯度.研究了磁场梯度对沉积a-Si:H薄膜性能的影响.研究表明:在衬底附近,高的磁场梯度可以获得高的沉积速率;在温度不很高时,高的磁场梯度可得到光敏性较好的a-Si:H薄膜.

著录项

来源
《物理学报》 |2004年第7期|2263-2269|共7页
作者
胡跃辉; 阴生毅; 陈光华; 吴越颖; 周小明; 周健儿; 王青; 张文理;
展开▼
作者单位

北京工业大学材料科学与工程学院,北京,100022;

北京工业大学材料科学与工程学院,北京,100022;

北京工业大学材料科学与工程学院,北京,100022;

北京工业大学材料科学与工程学院,北京,100022;

景德镇陶瓷学院,景德镇,333001;

景德镇陶瓷学院,景德镇,333001;

北京工业大学材料科学与工程学院,北京,100022;

北京工业大学材料科学与工程学院,北京,100022;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类物理学;
关键词
梯度磁场,洛伦兹拟合,a-Si:H薄膜,MWECR CVD系统;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. MWECR CVD系统中磁场梯度对a-Si:H薄膜沉积速率的影响(英文) [J] . 胡跃辉 ,吴越颖 ,陈光华 . 半导体学报：英文版 . 2004,第6期
2. 轴向二极场MWECR-CVD系统等离子体特性的实验研究 [J] . 叶超 . 核聚变与等离子体物理 . 1995,第004期
3. 用MWECR CVD系统制备具有非晶/微晶两相结构的硅薄膜研究 [J] . 谢耀江 ,胡跃辉 ,肖仁贤 . 陶瓷学报 . 2010,第004期
4. 新型等离子束源CVD制备a-Si:H薄膜特性的研究 [J] . 王堃 ,黄霞 ,张月 . 压电与声光 . 2017,第5期
5. 激光CVD制备a-Si:H/a-SiC:H多层非晶薄膜的方法及其光学特性研究 [J] . 吴鼎祥 . 应用科学学报 . 1993,第002期
6. 提高MWECR-CVD沉积a-Si:H薄膜速度的新方法 [C] . 阴生毅 ,陈光华 ,宋雪梅 . 2003年中国太阳能学会学术年会 . 2003
7. MWECR CVD高速沉积a-Si:H薄膜及热退火微观机理研究 [A] . 周怀恩 . 2005

MWECR CVD等离子体系统梯度磁场对沉积a-Si:H薄膜特性研究

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅