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王楠; 孔春阳; 朱仁江; 秦国平; 戴特力; 南貌; 阮海波;
重庆师范大学物理学与信息技术学院,重庆,400047;
离子注入; p型ZnO薄膜; 退火; 射频磁控溅射;
机译:Al和N共掺杂法制备透明P型Zno薄膜及其特性
机译:通过溅射氧化Zn_3N_2薄膜制备的p型N掺杂ZnO薄膜的电特性
机译:直流反应磁控溅射制备低阻p型ZnO薄膜及其特性
机译:Ampoule管法制备高迁移率P型ZnO薄膜的制备
机译:多晶ZnO薄膜的合成,电学和气敏特性。
机译:射频磁控溅射制备(MgAl)共掺杂ZnO薄膜的光电性能研究与研究
机译:交替沉积ZnO和Mg3N2薄膜制备p型ZnO薄膜
机译:通过mOCVD生长的p型ZnO薄膜。
机译:通过同时注入O和As离子以及包括相同方法制造的P型ZnO薄膜的二极管制造P型ZnO薄膜的方法
机译:安瓿-管法制备掺磷砷砷p型ZnO薄膜
机译:细管法制备磷和砷掺杂的P型ZNO薄膜的方法
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